دانلود مقاله انگلیسی و خرید ترجمه مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری ژرمانیوم-روی-سیلیکون

دانلود مقاله انگلیسی و خرید ترجمه مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری ژرمانیوم-روی-سیلیکون


توجه برای دیدن نسخه لاتین کامل و درست صحیح  لطفا در قسمت  پایین متون خارجی را به صورت رایگان دریافت نمایید.
قسمتی از متن انگلیسی:
However, Ge can be a challenging material to integrate in a
CMOS environment for its low thermal budget constraint and
its large lattice mismatch of
۴٫۲% with Si [19]. High defect
densities seen in the Ge-on-silicon-on-insulator (SOI) epitax-
ial film could induce unfavorable carrier recombination process
that would degrade the detector’s performance.

 

%d8%af%d8%a7%d9%86%d9%84%d9%88%d8%af-%d8%b1%d8%a7%db%8c%da%af%d8%a7%d9%86-%d8%a7%d8%b5%d9%84-%d9%85%d9%82%d8%a7%d9%84%d9%87-%d8%a7%d9%86%da%af%d9%84%db%8c%d8%b3%db%8cجهت دانلود ترجمه این مقاله به قسمت پایین مراجعه فرمایید.

 


چکیده ترجمه:
طراحی و ساخت آشکارساز نور ژرمانیوم-روی-سیلیکون-روی-عایق (SOI)(منظور آشکارسازی با لایه های به ترتیب ژرمانیوم، سیلیکون و عایق بر روی یکدیگر)، با تزویج میرا شونده که بطور یکپارچه مجتمع شده است و مدارات CMOS، بر روی پلات-فرم های (پایگاه های) SOI رایج با استفاده از روش مجتمع سازی “نخست-الکترونی و سپس-فوتونی” ساخته شده است. آشکارساز نور با کارایی بالا، با یک موج بر سیلیکونی مجتمع شده، بر روی لایه همبافته جذب کننده-ژرمانیوم که بر روی یک لایه SOI بسیار نازک بطور هدفمند رشد داده شده است، نشان داده شده است. معیارهای عملکرد طراحی آشکارساز نور را که پیکربندی های PIN عمودی و جانبی را نمایان می کنند، مورد تحقیق قرار گرفته اند. زمانی که در بایاس -۱٫۰ v کار میکند، یک آشکارساز PIN عمودی دارای جریانIdark کمتر از ∼۰٫۵۷میکرو آمپر می باشد؛ در حالی که یک آشکارساز PIN جانبی مقداری کمتر از حد بالایی ۱ میکروآمپری متناوب که برای گیرنده های-سرعت-بالا قابل قبول است_ دارد. پاسخدهی بسیار سریع ∼۰٫۹۲ A/W، در هر دو طراحی آشکارساز به ازای طول موج ۱۵۵۰ نانومتر بدست آمده است، که درای بازده کوآنتومی ۷۳% می باشد. اندازه گیری های پاسخ ضربه نشان دادند که آشکارساز PIN عمودی، در نیم-حداکثر ∼۲۴٫۴ ps در یک آشکارساز PIN جانبی، به یک تمام-عرض کوچک تر افزایش پیدا می کند، که در -۳ dB با پهنای باند ۱۱٫۳ گیگاهرتز انجام می پذیرد. آن طور که پیداست، تاخیر زمان RC، مهم ترین عامل در پایین آوردن عملیت سرعت می باشد. به علاوه اندازه گیری طرح چشم (ترتیب باینری شبه تصادفی ۲^۷-۱)، دستیابی آشکار سازی نوری سرعت-بالا و کم-نویز را در سرعت ذره ای (بیت ریت) ۸٫۵ گیگابایت بر ثانیه تحقیق می کند. همچنین مشخصه های انتقال و خروجی بسیار خوب، با مدارات مجتمع (آی سی ها) اینورتر CMOS، به اضافه عملکرد های درست منطقی، بدست آمده است. معرفی یک بادجت حرارتی اضافی (۸۰۰ درجه سیلیسیوس) منتج شده از رشد همبافتی ژرمانیوم، اثر زیان آور قابل مشاهده ای کنترل کانال-کوتاه مدار اینورتر CMOS ندارد. ما همچنین، مباحث مربوط به مجتمع سازی یکپارچه را روشن سازی کرده و در مورد پتانسیل گیرنده آشکارساز-Ge/CMOS سلیکونبرای کاربردهای مخابراتی فیبر نوری آینده، بحث خواهیم کرد.

توضیحات
عنوان انگلیسی مقاله: Low Thermal Budget Monolithic Integration of Evanescent-Coupled Ge-on-SOI Photodetector on Si CMOS Platform
عنوان فارسی مقاله:  مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری ژرمانیوم-روی-سیلیکون با تزویج میرا شونده بر روی پلتفرم نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى سیلیکونی.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: ۲۴
مقاله انگلیسی با ترجمه روان فارسی آماده ی خرید می باشد.
%d8%af%d8%a7%d9%86%d9%84%d9%88%d8%af-%d8%aa%d8%b1%d8%ac%d9%85%d9%87-%d9%85%d9%82%d8%a7%d9%84%d9%87-%d9%88-%d8%aa%d9%88%d8%b6%db%8c%d8%ad%d8%a7%d8%aa-%d8%a8%db%8c%d8%b4%d8%aa%d8%b1

در صورت دانلود نشدن فایل لاتین :برای دریافت رایگان نسخه انگلیسی این تحقیق در سایت میهن همکار در قسمت بالا که به منظور خرید و دانلود ترجمه وارد میشوید در آنجا دانلود نمایید.
 جهت خرید مقاله ترجمه شده درباره مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری ژرمانیوم-روی-سیلیکون و …قسمت بالا بر روی ( نوار رنگی  ) کلیک کنید.



دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *