دانلود ترجمه مقاله فن شناسی نیمه هادى اکسید فلزى تکمیل شده -نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ امکان تنظیم

عنوان ترجمه فایل فارسی: تکنولوژی نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و مستقل به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد.
عنوان نسخه انگلیسی: Dopant-Independent and Voltage-Selectable Silicon- Nanowire-CMOS Technology for Reconfigurable Logic Applications
مرتبط با رشته های : برق و الکترونیک
تعداد صفحات مقاله فارسی: ۱۱ صفحه
این فایل ترجمه شده به صورت ورد word می باشد و دارای امکان ویرایش هست.
و دریافت رایگان متون لاتین در قسمت پایین با فرمت pdf آمده دانلود است.

قسمتی از متن انگلیسی:
I. INTRODUCTION
Silicon nanowires (Si-NW) are intensively investigated by many research groups and considered as promising replacement for standard MOSFET based transistor technology, since classic geometric downscaling of planar MOSFET devices is reported to come to an end [1]. However, the ambipolar [2] nature of the nanowires turns out to be a roadblock, as p-type and n-type transistors are basic building blocks for today’s complementary MOS logic, i.e. its simplest device, the inverter [3]. Concerning bottom-up NWfabrication, a vapour-liquid-solid growth approach is often not compatible with standard CMOS technology, in view of the used catalyst materials, as well as the need of high growth temperatures during the fabrication process.

 

%d8%af%d8%a7%d9%86%d9%84%d9%88%d8%af-%d8%b1%d8%a7%db%8c%da%af%d8%a7%d9%86-%d8%a7%d8%b5%d9%84-%d9%85%d9%82%d8%a7%d9%84%d9%87-%d8%a7%d9%86%da%af%d9%84%db%8c%d8%b3%db%8cجهت دانلود ترجمه این مقاله به قسمت پایین مراجعه فرمایید.

قسمتی از ترجمه مقاله
در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه سیلیکون-بر-عایق (SOI)، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.
۱٫مقدمه:
نانووایرهای سیلیکون (Si_NW) شدیدن توسط گروه های تحقیقاتی مورد بررسی قرار گرفته و به عنوان جایگزین امیدوار کننده ای برای تکنولوژی های ترانزیستور بر مبنایMOSFET استاندارد، در نظر گرفته شدند؛ نظر باینکه کوچک کردن مقیاس های هندسی کلاسیک وسایل ها MOSFET به بن بست رسیده اند [۱]. اگرچه، از آنجایی که ترانزیستورهای نوع n ونوع p سنگ بنای اصلی منطق MOS مکمل امروزی _یعنی ساده ترین وسیله ی آن، اینورتر [۳] می باشد؛ آنطور که پیداست ویژگی ambipolar [2] نانو وایرها یک سد راه می باشند؛ ساخت از پایین به بالای NW مورد بحث ما، روش رشد گاز-مایع-جامد، اغلب با تکنولوژی استاندارد CMOS ، بدلیل مواد کاتالیزور استفاده شده، و نیز نیاز دماهای رشد بالا در طی فرآیند ساخت_ سازگار نمی باشد. مشکلات حل نشده ی دیگری نیز در طی افزودن ناخالصی ظاهر می شوند (برای مثال تجزیه ی عامل ناخالصی) [۴ و ۵]، بنابراین استفاده از نانووایرهای توسعه یافته در مجموعه های مدار مجتمع با اندازه های بزرگ، خیلی امکان پذیر نمی باشد.
جهت دیدن ادامه مقدمه پارسی این مقاله بر روی نوار پایین کلیک نمایید.
مقاله انگلیسی با ترجمه روان فارسی آماده ی خرید می باشد.
%d8%af%d8%a7%d9%86%d9%84%d9%88%d8%af-%d8%aa%d8%b1%d8%ac%d9%85%d9%87-%d9%85%d9%82%d8%a7%d9%84%d9%87-%d9%88-%d8%aa%d9%88%d8%b6%db%8c%d8%ad%d8%a7%d8%aa-%d8%a8%db%8c%d8%b4%d8%aa%d8%b1
 جهت خرید مقاله ترجمه شده درباره فن شناسی نیمه هادى اکسید فلزى تکمیل شده -نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ امکان تنظیم و …قسمت بالا بر روی ( نوار رنگی  ) کلیک کنید.



دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *