دانلود ترجمه مقاله مبحث های نوین زیرآستانه ای در فناوری نيمه هادى اکسيد فلزى تکميلى 65 نانومتری

عنوان ترجمه فایل فارسی: مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری نيمه هادى اکسيد فلزى تکميلى 65 نانومتری.
عنوان نسخه انگلیسی: New Subthreshold Concepts in 65nm CMOS Technology
مرتبط با رشته های : برق و الکترونیک
تعداد صفحات مقاله فارسی: 16 صفحه
این فایل ترجمه شده به صورت ورد word می باشد و دارای امکان ویرایش هست.
و دریافت رایگان متون لاتین در قسمت پایین با فرمت pdf آمده دانلود است.

قسمتی از متن انگلیسی:
1. Introduction
In the last few years, large efforts have been made in research and development on low energy circuits for battery operated wireless sensor nodes. Recently a number of papers reporting ADC’s utilizing time-domain instead of amplitude domain have been reported [1]-[4]. This class of converters may be built entirely of digital components, but this would put strict requirements on the comparator and sampling circuitry. To meet these requirements low power and high speed flip-flops with a sufficiently low possibility for metastability must be designed. Recently, as we approach atomic scale devices, leakage currents have increased dramatically, leading to higher static power dissipation. Therefore, leakage must be taken into consideration when evaluating these circuits since it has become a significant contributor to the overall power consumption in deepsubmicron CMOS processes

%d8%af%d8%a7%d9%86%d9%84%d9%88%d8%af-%d8%b1%d8%a7%db%8c%da%af%d8%a7%d9%86-%d8%a7%d8%b5%d9%84-%d9%85%d9%82%d8%a7%d9%84%d9%87-%d8%a7%d9%86%da%af%d9%84%db%8c%d8%b3%db%8cجهت دانلود ترجمه این مقاله به قسمت پایین مراجعه فرمایید.


قسمتی از ترجمه مقاله
در این مقاله، در مورد چالش های مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای  در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایش های گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی  و زمان نگهداری نیز بهبود می یابد.
کلمات کلیدی: ولتاژ پایین، کم توان، زیرآستانه، مقیاس نانو
1-مقدمه : این ترجمه را در سایت میهن همکار بخوانید که در قسمت پایین بر روی نوار کلیک نمایید.

مقاله انگلیسی با ترجمه روان فارسی آماده ی خرید می باشد.
%d8%af%d8%a7%d9%86%d9%84%d9%88%d8%af-%d8%aa%d8%b1%d8%ac%d9%85%d9%87-%d9%85%d9%82%d8%a7%d9%84%d9%87-%d9%88-%d8%aa%d9%88%d8%b6%db%8c%d8%ad%d8%a7%d8%aa-%d8%a8%db%8c%d8%b4%d8%aa%d8%b1

 جهت خرید مقاله ترجمه شده دربارهمبحث های نوین زیرآستانه ای در فناوری نيمه هادى اکسيد فلزى تکميلى 65 نانومتری و …قسمت بالا بر روی ( نوار رنگی  ) کلیک کنید.

Random Posts

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

*
*

بیست − یک =